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Chip del sensore di temperatura FM25H20-DG Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | FM25H20-DG |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Pacchetto: | Metropolitana | Stato del prodotto: | Obsoleto |
|---|---|---|---|
| Tipo di memoria: | Non volatile | Formato di memoria: | FRAM |
| Tecnologia: | FRAM (RAM ferroelettrico) | Capacità di memoria: | 2Mbit |
| Organizzazione di memoria: | 256K x 8 | Interfaccia di memoria: | SPI |
Descrizione di prodotto
Chip del sensore di temperatura FM25H20-DG Ic Fram 2mbit Spi 40mhz 8dfn
FRAM (RAM ferroelettrica) Memoria IC 2Mbit SPI 40 MHz 8-DFN (5x6)
Specifiche di FM25H20-DG
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | Tecnologie Infineon |
| Serie | F-RAM™ |
| Pacchetto | Tubo |
| Stato del prodotto | Obsoleto |
| Tipo di memoria | Non volatile |
| Formato memoria | FRAM |
| Tecnologia | FRAM (RAM ferroelettrica) |
| Dimensione della memoria | 2Mbit |
| Organizzazione della memoria | 256K x 8 |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza dell'orologio | 40MHz |
| Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page | - |
| Tensione - Alimentazione | 2,7 V ~ 3,6 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione/caso | 8-WDFN Piazzola esposta |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) |
| Numero del prodotto di base | FM25H20 |
Caratteristiche diFM25H20-DG
■ Memoria ferroelettrica ad accesso casuale da 2 Mbit (F-RAM) logicamenteorganizzato come 256 K × 8
- Alta resistenza 100 trilioni (1014) di letture/scritture
- 151 anni di conservazione dei dati (Vedi la Conservazione dei datiEtabella di resistenza)
- NoDelay™ scrive
- Avanzato processo ferroelettrico ad alta affidabilità
■ Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
- Frequenza fino a 40 MHz
-Sostituzione hardware diretta per flash seriale eEEPROM
-Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
■ Sofisticato schema di protezione da scrittura
-Protezione hardware tramite Write Protect (WP)spillo
-Protezione del software tramite Disabilitazione scritturaistruzione
-Protezione del blocco software per 1/4, 1/2 ointero array
■ Basso consumo energetico
-Corrente attiva 1 mA a 1 MHz
-80n / a(tip) corrente di standby
-3n / acorrente della modalità di sospensione
■ Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,7 V a 3,6 V
■ Temperatura industriale da –40 C a +85 C
■ Pacchetti
-Circuito integrato Small Outline a 8 pin (SOIC)pacchetto
-Pacchetto sottile doppio piatto senza cavi (TDFN) a 8 pin
■ Restrizione delle sostanze pericolose (RoHS)conforme
Applicazioni diFM25H20-DG
FM25H20 è una memoria non volatile da 2 Mbit che impiega unprocesso ferroelettrico avanzato.Un accesso casuale ferroelettricola memoria o F-RAM non è volatile ed esegue letture e scritturesimile a una RAM.Fornisce una conservazione affidabile dei dati per 151 annieliminando le complessità, le spese generali e il livello di sistemaproblemi di affidabilità causati da flash seriale, EEPROM e altromemorie non volatili.
Classificazioni ambientali e di esportazione diFM25H20-DG
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
Prodotto Tag:
TMS320F28377DPTPS
Chip del sensore di temperatura
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