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CY62157ELL-45ZSXIT Circuito integrato del sensore di temperatura Ic Sram 8mbit parallelo 44tsop Ii
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | CY62157ELL-45ZSXIT |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Stato del prodotto: | Attivo | Tipo di memoria: | Volatile |
|---|---|---|---|
| Formato di memoria: | SRAM | Tecnologia: | SRAM - Asincrono |
| Capacità di memoria: | 8Mbit | Organizzazione di memoria: | 512K x 16 |
| Interfaccia di memoria: | Parallelo | Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page: | 45ns |
Descrizione di prodotto
CY62157ELL-45ZSXIT Circuito integrato del sensore di temperatura Ic Sram 8mbit parallelo 44tsop Ii
SRAM - Memoria asincrona IC 8 Mbit Parallela 45 ns 44-TSOP II
Specifiche di CY62157ELL-45ZSXIT
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | Tecnologie Infineon |
| Serie | MoBL® |
| Pacchetto | Nastro e bobina (TR) |
| Stato del prodotto | Attivo |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | Sram |
| Tecnologia | SRAM - Asincrono |
| Dimensione della memoria | 8Mbit |
| Organizzazione della memoria | 512K x 16 |
| Interfaccia di memoria | Parallelo |
| Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page | 45ns |
| Tempo di accesso | 45 n |
| Tensione - Alimentazione | 4,5 V ~ 5,5 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione/caso | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm di larghezza) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
| Numero del prodotto di base | CY62157 |
Caratteristiche diCY62157ELL-45ZSXIT
■ Altissima velocità: 45 ns
- Industriale: da –40 °C a +85 °C
- Automotive-E: da –40 °C a +125 °C
■ Ampio intervallo di tensione: 4,5 V–5,5 V
■ Bassissimo consumo in standby
- Corrente di standby tipica: 2 A
- Corrente massima in standby: 8 A (industriale)
■ Potenza attiva ultra bassa
- Corrente attiva tipica: 1,8 mA a f = 1 MHz
■ Bassissimo consumo in standby
■ Facile espansione della memoria con funzionalità CE1, CE2 e OE
■ Spegnimento automatico se deselezionato
■ CMOS per velocità e potenza ottimali
■ Disponibile in package TSOP II a 44 pin senza Pb e VFBGA a 48 sfere
Applicazioni diCY62157ELL-45ZSXIT
Il CY62157E è una RAM statica CMOS ad alte prestazioni organizzata come 512K word per 16 bit.Questo dispositivo presenta un design del circuito avanzato per fornire una corrente attiva ultra bassa.Questo è l'ideale per fornire una maggiore durata della batteria (MoBL®) nelle applicazioni portatili.Il dispositivo ha anche una funzione di spegnimento automatico che riduce significativamente il consumo di energia quando gli indirizzi non cambiano.Mettere il dispositivo in modalità standby quando è deselezionato (CE1 HIGH o CE2 LOW o entrambi BHE e BLE sono HIGH).I pin di ingresso o di uscita (da I/O0 a I/O15) sono posti in uno stato di alta impedenza quando:
■ Deselezionato (CE1HIGH o CE2 LOW)
■ Le uscite sono disabilitate (OE HIGH)
■ Sia Byte High Enable che Byte Low Enable sono disabilitati (BHE, BLE HIGH)
■ L'operazione di scrittura è attiva (CE1 LOW, CE2 HIGH e WE LOW)
Classificazioni ambientali e di esportazione diCY62157ELL-45ZSXIT
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 3 (168 ore) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
Prodotto Tag:
TMS320F28377DPTPS
Chip del sensore di temperatura
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