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8PQFN FDMS5352 Transistor IC Mosfet N-Ch 60V 13.6A/49A
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | FDMS5352 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Stato del prodotto: | Attivo | Tipo del FET: | N-Manica |
|---|---|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) | Vuoti a tensione di fonte (Vdss): | 60 V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: | 13.6A (tum), 49A (TC) | Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: | 6.7mOhm @ 13.6A, 10V | Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: | 3V @ 250µA |
| Evidenziare: | FDMS5352 Transister IC Mosfet,FDMS5352 Transister IC,8PQFN FDMS5352 |
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Descrizione di prodotto
FDMS5352 Circuiti integrati a transistor IC Mosfet N-Ch 60v 13.6a/49a 8pqfn
Canale N 60 V 13,6 A (Ta), 49 A (Tc) 2,5 W (Ta), 104 W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Specifiche di FDMS5352
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Prodotti discreti a semiconduttore |
| Transistor | |
| FET, MOSFET | |
| FET singoli, MOSFET | |
| Mfr | onsemi |
| Serie | PowerTrench® |
| Pacchetto | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro tagliato (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Stato del prodotto | Attivo |
| Tipo FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C | 13,6 A (Ta), 49 A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6,7 mOhm a 13,6 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 131 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6940 pF a 30 V |
| Funzionalità FET | - |
| Dissipazione di potenza (massima) | 2,5W (Ta), 104W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
| Confezione/caso | 8-PowerTDFN |
| Numero del prodotto di base | FDMS53 |
Caratteristiche diFDMS5352
• Max rbs(on)=6.7mΩa Vcs=10V,lb=13.6A
• Max fbs(on)=8.2mΩa VGs=4.5V,lb=12.3A
• Combinazione pacchetto avanzato e silicio per basso ros(on)
• Robusto design del pacchetto MSL1
• Testato UIL al 100%.
• A norma RoHS
APPLICAZIONIDiFDMS5352
• Conversione DC - DC
Classificazioni ambientali e di esportazione diFDMS5352
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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