CIRCUITO 8VSSOP del GP 2 del chip di memoria OPAMP di TLV9152QDGKRQ1 EMMC
Dettagli:
Luogo di origine: | originale |
Marca: | original |
Certificazione: | original |
Numero di modello: | TLV9152QDGKRQ1 |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 1 |
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Prezzo: | negotiation |
Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
Termini di pagamento: | T/T, L/C |
Capacità di alimentazione: | 100.000 |
Informazioni dettagliate |
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Stato del prodotto: | Attivo | Tipo dell'amplificatore: | Uso generale |
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Numero dei circuiti: | 2 | Tipo dell'uscita: | Ferrovia--ferrovia |
Tasso di pantano: | 20V/µs | Prodotto di larghezza di banda di guadagno: | 4,5 megahertz |
Corrente - polarizzazione introdotta: | PA 10 | Tensione - contrappeso introdotto: | µV 125 |
Evidenziare: | TLV9152QDGKRQ1,CIRCUITO 8VSSOP DEL GP 2 DI OPAMP,Chip di memoria di 8VSSOP EMMC |
Descrizione di prodotto
TLV9152QDGKRQ1 Emmc Chip di memoria Ic Opamp Gp 2 Circuito 8vssop
Amplificatore per uso generico 2 circuiti Rail-to-Rail 8-VSSOP
Specifiche diTLV9152QDGKRQ1
TIPO | DESCRIZIONE |
Categoria | Circuiti integrati (CI) |
Lineare | |
Amplificatori | |
Strumentazione, amplificatori operazionali, amplificatori buffer | |
Mfr | Strumenti texani |
Serie | Settore automobilistico, AEC-Q100 |
Pacchetto | Nastro e bobina (TR) |
Nastro tagliato (CT) | |
Digi-Reel® | |
Stato del prodotto | Attivo |
Tipo di amplificatore | Scopo generale |
Numero di circuiti | 2 |
Tipo di uscita | Rail-to-Rail |
Tasso di risposta | 20V/µs |
Guadagna prodotto larghezza di banda | 4,5MHz |
Corrente - Bias di ingresso | 10 PA |
Tensione - Offset ingresso | 125 µV |
Corrente - Fornitura | 560µA (x2 canali) |
Corrente - Uscita / Canale | 75 mA |
Tensione - Intervallo di alimentazione (min) | 2,7 V |
Tensione - Intervallo di alimentazione (max) | 16 v |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Confezione/caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm di larghezza) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VSSOP |
Caratteristiche diTLV9152QDGKRQ1
• Qualificazione AEC-Q100 per applicazioni automobilistiche
– Grado di temperatura 1: da –40°C a +125°C, TA
– Classificazione dispositivo HBM ESD livello 3A
– Dispositivo CDM Classificazione ESD livello C6
• Bassa tensione di offset: ±125 µV
• Bassa deriva della tensione di offset: ±0,3 µV/°C
• Basso rumore: 10,8 nV/√Hz a 1 kHz
• Alta reiezione di modo comune: 120 dB
• Bassa corrente di polarizzazione: ±10 pA
• Ingresso e uscita rail-to-rail
• Ampia larghezza di banda: 4,5 MHz GBW
• Alta velocità di variazione: 21 V/µs
• Bassa corrente di riposo: 560 µA per amplificatore
• Ampia alimentazione: da ±1,35 V a ±8 V, da 2,7 V a 16 V
• Robuste prestazioni EMIRR: filtri EMI/RFI sui pin di ingresso
Applicazioni DiTLV9152QDGKRQ1
• Ottimizzato per applicazioni AEC-Q100 grado 1
• Infotainment e cluster
• Sicurezza passiva
• Elettronica e illuminazione della carrozzeria
• Inverter HEV/EV e controllo motore
• Caricabatterie integrato (OBC) e wireless
• Sensore di corrente della catena cinematica
• Sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS)
• Rilevamento della corrente high-side e low-side
Classificazioni ambientali e di esportazione diTLV9152QDGKRQ1
ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
Stato RoHS | Non applicabile |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.33.0001 |

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