• CIRCUITO 8VSSOP del GP 2 del chip di memoria OPAMP di TLV9152QDGKRQ1 EMMC
CIRCUITO 8VSSOP del GP 2 del chip di memoria OPAMP di TLV9152QDGKRQ1 EMMC

CIRCUITO 8VSSOP del GP 2 del chip di memoria OPAMP di TLV9152QDGKRQ1 EMMC

Dettagli:

Luogo di origine: originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: TLV9152QDGKRQ1

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Contenitore di cartone
Tempi di consegna: giorni 1-3working
Termini di pagamento: T/T, L/C
Capacità di alimentazione: 100.000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Stato del prodotto: Attivo Tipo dell'amplificatore: Uso generale
Numero dei circuiti: 2 Tipo dell'uscita: Ferrovia--ferrovia
Tasso di pantano: 20V/µs Prodotto di larghezza di banda di guadagno: 4,5 megahertz
Corrente - polarizzazione introdotta: PA 10 Tensione - contrappeso introdotto: µV 125
Evidenziare:

TLV9152QDGKRQ1

,

CIRCUITO 8VSSOP DEL GP 2 DI OPAMP

,

Chip di memoria di 8VSSOP EMMC

Descrizione di prodotto

TLV9152QDGKRQ1 Emmc Chip di memoria Ic Opamp Gp 2 Circuito 8vssop
 
Amplificatore per uso generico 2 circuiti Rail-to-Rail 8-VSSOP

 

Specifiche diTLV9152QDGKRQ1

 

TIPO DESCRIZIONE
Categoria Circuiti integrati (CI)
Lineare
Amplificatori
Strumentazione, amplificatori operazionali, amplificatori buffer
Mfr Strumenti texani
Serie Settore automobilistico, AEC-Q100
Pacchetto Nastro e bobina (TR)
Nastro tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato del prodotto Attivo
Tipo di amplificatore Scopo generale
Numero di circuiti 2
Tipo di uscita Rail-to-Rail
Tasso di risposta 20V/µs
Guadagna prodotto larghezza di banda 4,5MHz
Corrente - Bias di ingresso 10 PA
Tensione - Offset ingresso 125 µV
Corrente - Fornitura 560µA (x2 canali)
Corrente - Uscita / Canale 75 mA
Tensione - Intervallo di alimentazione (min) 2,7 V
Tensione - Intervallo di alimentazione (max) 16 v
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione/caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm di larghezza)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSSOP

 

Caratteristiche diTLV9152QDGKRQ1

 

• Qualificazione AEC-Q100 per applicazioni automobilistiche
– Grado di temperatura 1: da –40°C a +125°C, TA
– Classificazione dispositivo HBM ESD livello 3A
– Dispositivo CDM Classificazione ESD livello C6
• Bassa tensione di offset: ±125 µV
• Bassa deriva della tensione di offset: ±0,3 µV/°C
• Basso rumore: 10,8 nV/√Hz a 1 kHz
• Alta reiezione di modo comune: 120 dB
• Bassa corrente di polarizzazione: ±10 pA
• Ingresso e uscita rail-to-rail
• Ampia larghezza di banda: 4,5 MHz GBW
• Alta velocità di variazione: 21 V/µs
• Bassa corrente di riposo: 560 µA per amplificatore
• Ampia alimentazione: da ±1,35 V a ±8 V, da 2,7 V a 16 V
• Robuste prestazioni EMIRR: filtri EMI/RFI sui pin di ingresso
 

Applicazioni DiTLV9152QDGKRQ1

 

• Ottimizzato per applicazioni AEC-Q100 grado 1
• Infotainment e cluster
• Sicurezza passiva
• Elettronica e illuminazione della carrozzeria
• Inverter HEV/EV e controllo motore
• Caricabatterie integrato (OBC) e wireless
• Sensore di corrente della catena cinematica
• Sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS)
• Rilevamento della corrente high-side e low-side

 

Classificazioni ambientali e di esportazione diTLV9152QDGKRQ1

 

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS Non applicabile
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

CIRCUITO 8VSSOP del GP 2 del chip di memoria OPAMP di TLV9152QDGKRQ1 EMMC 0

 

 

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