• BCW32LT1G Transistor bipolare NPN 32 V 100 mA 225 mW Montatura superficiale SOT-23-3
BCW32LT1G Transistor bipolare NPN 32 V 100 mA 225 mW Montatura superficiale SOT-23-3

BCW32LT1G Transistor bipolare NPN 32 V 100 mA 225 mW Montatura superficiale SOT-23-3

Dettagli:

Luogo di origine: originario
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: BCW32LT1G

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: scatola di cartone
Tempi di consegna: 3-5 giorni
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Corrente - collettore (CI) (massimo): 100 mA Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 32 V
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: 250mV @ 500μA, 10mA Corrente - taglio del collettore (massimo): 100nA (ICBO)
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: 200 @ 2mA, 5V Massimo elettrico: 225 mW
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ) Frequenza - transizione: -

Descrizione di prodotto

BCW32LT1G Transistor bipolare NPN 32 V 100 mA 225 mW Montatura superficiale SOT-23-3
 
Specificità diBCW32LT1G

 

TIPO Descrizione
Categoria Prodotti di semiconduttori discreti
  Transistori
  Bipolare (BJT)
  Transistori bipolari singoli
Mfr semi
Serie -
Pacco Nastro e bobina (TR)
  Nastro di taglio (CT)
Status del prodotto Attivo
Tipo di transistor NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100 mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max) 32 V
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic 250mV @ 500μA, 10mA
Corrente - limite del collettore (massimo) 100nA (ICBO)
Cfr. la sezione 5.2. 200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max 225 mW
Frequenza - Transizione -
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Confezione del dispositivo del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Numero del prodotto di base BCW32

 
Caratteristiche delBCW32LT1G


• Prefisso NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti unici di modifica del sito e del controllo;

AEC-Q101 Qualificato e in grado di svolgere il PPAP


• Questi dispositivi sono privi di Pb−, di alogeni/BFR e sono conformi alla RoHS

 

 


Applicazioni diBCW32LT1G

* Commutazione ad alta velocità
* Sostituzione a scopo generale

 


Classificazioni ambientali e di esportazioneBCW32LT1G

 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Status REACH REACH non interessato
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 
BCW32LT1G Transistor bipolare NPN 32 V 100 mA 225 mW Montatura superficiale SOT-23-3 0

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