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FESB8DTHE3 - 81 Diodo 200 V 8A Montatura di superficie TO-263AB (D2PAK)
Dettagli:
| Luogo di origine: | originario |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | FESB8DTHE3 - 81 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | scatola di cartone |
| Tempi di consegna: | 3-5 giorni |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Tecnologia: | Norme | Tensione - inverso di CC (Vr) (massimo): | 200 V |
|---|---|---|---|
| Corrente - media rettificata (Io): | 8A | Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se: | 950 mV @ 8 A |
| velocità: | =< veloce 500ns di recupero, > 200mA (Io) | Tempo di recupero inverso (trr): | 35 NS |
| Corrente - perdita inversa @ Vr: | 10 μA @ 200 V | Temperatura di funzionamento - giunzione: | -55°C ~ 150°C |
Descrizione di prodotto
FESB8DTHE3 - 81 Diodo 200 V 8A Montatura di superficie TO-263AB (D2PAK)
Specificità diFESB8DTHE3 - 81
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Diodi | |
| Rettificatori | |
| Diodi singoli | |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Divisione diodi |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Pacco | Nastro e bobina (TR) |
| Status del prodotto | Attivo |
| Tecnologia | Norme |
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max) | 200 V |
| Corrente - media rettificata (Io) | 8A |
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se | 950 mV @ 8 A |
| Velocità | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35 ns |
| Corrente - perdite inverse @ Vr | 10 μA @ 200 V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB |
| Confezione del dispositivo del fornitore | TO-263AB (D2PAK) |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Numero del prodotto di base | FESB8 |
Caratteristiche delFESB8DTHE3 - 81
• Connessione a chip passivata in vetro
• Tempo di recupero estremamente veloce
• Basse perdite di commutazione, elevata efficienza
• Corrente di perdita bassa
• Capacità di spinta avanzata elevata
• Risponde al livello MSL 1, per J-STD-020, LF massimo di 245 °C (per il pacchetto TO-263AB)
• immersione di saldatura a 260 °C, 40 s (per il pacchetto TO-220AC e ITO-220AC)
• Componente conforme a RoHS 2002/95/CE e WEEE 2002/96/CE
Applicazioni diFESB8DTHE3 - 81
Per l'uso in rettificatori ad alta frequenza di alimentatori in modalità di commutazione, inverter, diodi a rotazione libera, convertitori DC-DC e altre applicazioni di commutazione di potenza.
Classificazioni ambientali e di esportazioneFESB8DTHE3 - 81
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Status REACH | REACH non interessato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
