• SS8050DTA Bipolare (BJT) Transistor NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W attraverso foro TO-92-3
SS8050DTA Bipolare (BJT) Transistor NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W attraverso foro TO-92-3

SS8050DTA Bipolare (BJT) Transistor NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W attraverso foro TO-92-3

Dettagli:

Luogo di origine: Originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: SS8050DTA

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: 3-5 giorni
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Tipo del transistor: NPN Corrente - collettore (CI) (massimo): 1,5 A
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 25 V Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: 500mV @ 80mA, 800mA
Corrente - taglio del collettore (massimo): 100nA (ICBO) Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Potenza - Max: 1 W Frequenza - transizione: 100 MHz

Descrizione di prodotto

SS8050DTA Bipolare (BJT) Transistor NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W attraverso foro TO-92-3
 
Specificità diSS8050DTA
 

TIPO Descrizione
Categoria Prodotti di semiconduttori discreti
  Transistori
  Bipolare (BJT)
  Transistori bipolari singoli
Mfr semi
Serie -
Pacco Nastro di taglio (CT)
  Nastro e scatola (TB)
Tipo di transistor NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1.5 A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max) 25 V
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA
Corrente - limite del collettore (massimo) 100nA (ICBO)
Cfr. la sezione 5.2. 160 @ 100mA, 1V
Potenza - Max 1 W
Frequenza - Transizione 100 MHz
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Attraverso il buco
Confezione / Cassa TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Piombo modellato
Confezione del dispositivo del fornitore TO-92-3
Numero del prodotto di base SS8050

 
 
Caratteristiche delSS8050DTA


• Amplificatore di uscita da 2 W di radio portatili di classe B
• Complementare all'SS8550
• Corrente del collettore: IC = 1,5 A
• Questi dispositivi sono privi di Pb−, di alogeni/BFR e sono conformi alla RoHS

 


Applicazioni diSS8050DTA


Dimensione del PCB: FR−4, 76 mm x 114 mm x 1,57 mm (3,0 pollici x 4,5 pollici x 0,062 pollici) con dimensioni minime del modello di terra.

 


Classificazioni ambientali e di esportazioneSS8050DTA
 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) Non applicabile
Status REACH REACH non interessato
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
SS8050DTA Bipolare (BJT) Transistor NPN 25 V 1.5 A 100MHz 1 W attraverso foro TO-92-3 0

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