• BSP318S H6327 N-Channel 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Montatura di superficie PG-SOT223-4
BSP318S H6327 N-Channel 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Montatura di superficie PG-SOT223-4

BSP318S H6327 N-Channel 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Montatura di superficie PG-SOT223-4

Dettagli:

Luogo di origine: originario
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: BSP318S H6327

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: 3-5 giorni
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000
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Informazioni dettagliate

Tipo di FET: Canale N Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 60 V Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Vgs (Max): ± 20V

Descrizione di prodotto

BSP318S H6327 N-Channel 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Montatura di superficie PG-SOT223-4
 
Specificità di BSP318S H6327
 

TIPO Descrizione
Categoria Prodotti di semiconduttori discreti
  Transistori
  FET, MOSFET
  FET singoli, MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Pacco Nastro e bobina (TR)
  Nastro di taglio (CT)
Status del prodotto L'ultima volta che ho comprato
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 60 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 2.6A (Tj)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (Max) 1.8W (Ta)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore PG-SOT223-4
Confezione / Cassa TO-261-4, TO-261AA
Numero del prodotto di base BSP318

 
 
Caratteristiche del
BSP318S H6327


• Canale N
• Modalità di potenziamento
• Avalanche
• Livello logico
• dv/dt nominale
• Placcaggio in piombo privo di Pb; conforme alla RoHS
• Qualificato secondo AEC Q101

 


Classificazioni ambientali e di esportazioneBSP318S H6327
 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Status REACH REACH non interessato
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

BSP318S H6327 N-Channel 60 V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Montatura di superficie PG-SOT223-4 0

 

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