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MBRAF360T3G Componenti elettronici Diodo 60 V 4A Montaggio superficiale SMA-FL
Dettagli:
| Luogo di origine: | originario |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | MBRAF360T3G |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 3-5 giorni |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 60 V | Corrente - media rettificata (Io): | 4A |
|---|---|---|---|
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 630 sistemi MV @ 3 A | Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: |
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 3 mA @ 60 V | Capacità @ Vr, F: | - |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 150°C | ||
Descrizione di prodotto
MBRAF360T3G Componenti elettronici Diodo 60 V 4A Montaggio superficiale SMA-FL
Specificità di MBRAF360T3G
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Diodi | |
| Rettificatori | |
| Diodi singoli | |
| Mfr | semi |
| Serie | - |
| Pacco | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro di taglio (CT) | |
| Tecnologia | Schottky |
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max) | 60 V |
| Corrente - media rettificata (Io) | 4A |
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se | 630 mV @ 3 A |
| Velocità | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: |
| Corrente - perdite inverse @ Vr | 3 mA @ 60 V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | DO-221AC, SMA piatti piatti |
| Confezione del dispositivo del fornitore | SMA-FL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Numero del prodotto di base | MBRAF360 |
Caratteristiche delMBRAF360T3G
• pacchetto low profile per applicazioni con spazio limitato
• pacchetto rettangolare per la movimentazione automatica
• Giunzione passivata ad ossido altamente stabile
• 150°C Temperatura di funzionamento della giunzione
• Anello di protezione contro lo stress
• Prefisso NRVB per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti unici di modifica del sito e del controllo;
AEC-Q101 Qualificato e in grado di svolgere il PPAP
• Dispositivi privi di Pb e di alogenuri
Applicazioni diMBRAF360T3G
Questo dispositivo utilizza il principio della barriera di Schottky in un diodo di potenza metallo-silicio di grande area.
Classificazioni ambientali e di esportazioneMBRAF360T3G
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Status REACH | REACH non interessato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
