• FDB110N15A N-Canale 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Montatura di superficie D2PAK (TO-263)
FDB110N15A N-Canale 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Montatura di superficie D2PAK (TO-263)

FDB110N15A N-Canale 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Montatura di superficie D2PAK (TO-263)

Dettagli:

Luogo di origine: originario
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: FDB110N15A

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: giorni 1-3working
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 100.000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 150 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Vgs (Max): ± 20V

Descrizione di prodotto

FDB110N15A N-Canale 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Montatura di superficie D2PAK (TO-263)

 

Specificità di FDB110N15A

 

TIPO Descrizione
Categoria Prodotti di semiconduttori discreti
  Transistori
  FET, MOSFET
  FET singoli, MOSFET
Mfr semi
Serie PowerTrench®
Pacco Nastro e bobina (TR)
  Nastro di taglio (CT)
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 150 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 92A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 92A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 75 V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (Max) 234W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore D2PAK (TO-263)
Confezione / Cassa TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Numero del prodotto di base FDB110

 

 

Caratteristiche del FDB110N15A


• RDS ((on) = 9,25 mΩ (Typ.) @ V GS = 10 V, ID = 92 A
• Velocità di commutazione rapida
• Basso costo della porta
• Tecnologia di trincea ad alte prestazioni per RDS estremamente bassi (on)
• Potenza elevata e capacità di gestione della corrente
• Compatibile con la RoHS

 

 

Applicazioni di FDB110N15A


• Rettifica sincrona per ATX / Server / Telecom PSU
• Circuito di protezione della batteria
• Motori e alimentatori ininterrotti
• Micro-inverter solare

 

 

 

AmbientaleClassificazioni delle esportazioni di FDB110N15A
 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Status REACH REACH non interessato
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

FDB110N15A N-Canale 150 V 92A (Tc) 234W (Tc) Montatura di superficie D2PAK (TO-263) 0

 

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