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ZJYS51R5-2PT-012 interruttore di accensione CI 200 ohm @ 100 DCR 120mOhm di megahertz 2A
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | Original |
| Certificazione: | Original |
| Numero di modello: | ZJYS51R5-2PT-01 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
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| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Numero del pezzo: | ZJYS51R5-2PT-01 | Numero delle linee: | 2 |
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| Valutazione corrente (massima): | 2A | Valutazione di tensione - CC: | 50V |
| Temperatura di funzionamento: | -25°C ~ 85°C | Frequenza di impedenza @: | 200 ohm @ 100 megahertz |
Descrizione di prodotto
ZJYS51R5-2PT-012 interruttore di accensione CI 200 ohm @ 100 DCR 120mOhm di megahertz 2A
2 linea supporto di superficie della bobina d'arresto comune di modo 200 ohm @ 100 DCR 120mOhm di megahertz 2A
Caratteristiche di ZJYS51R5-2PT-01
Filtro da modo comune ottimale per l'eliminazione del rumore senza sforzare il segnale della trasmissione e per i segnali di alta qualità di trasmissione.
Contromisure ottimali per il modo comune provocato dal rumore durante la trasmissione dei dati per elaborazione numerica dei segnali quali nei pc e
telefoni.
Il tipo struttura di SMD lo rende ottimale per il montaggio di superficie.
Fino a 2A corrente è permissibile, in modo da può essere usato come contromisure di un rumore per le linee dell'alimentazione elettrica.
Specifiche di ZJYS51R5-2PT-01
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Mfr
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Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba
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Serie
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U-MOSVIII-H
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Prodotto
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TPH2R306NH1, LQ
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Tipo del FET
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N-Manica
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| Pacchetto | Nastro & bobina |
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Tecnologia
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MOSFET (ossido di metallo)
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Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
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60 V
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Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
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136A (TC)
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
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6.5V, 10V
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RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
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2.3mOhm @ 50A, 10V
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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
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4V @ 1mA
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Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
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72 nC @ 10 V
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Vgs (massimo)
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±20V
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Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
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6100 PF @ 30 V
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Caratteristica del FET
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-
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Dissipazione di potere (massima)
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800mW (tum), 170W (TC)
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Temperatura di funzionamento
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150°C
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Montaggio del tipo
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Supporto di superficie
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Pacchetto del dispositivo del fornitore
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8-SOP avanzamento (5x5.75)
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Pacchetto/caso
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8-PowerTDFN
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Classificazioni dell'esportazione & ambientali
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
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| Livello di sensibilità di umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Applicazioni di ZJYS51R5-2PT-01
Pc, telefoni, LANs, ISDNs, PBXs digitale, macchine del gioco, TVC, CD ROM, videoregistratori di 8mm, ecc.
