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M95010-WMN6TP Tv Diodo Smd Ic Eeprom 1kbit Spi 20mhz 8soic 497-8672-1-Nd
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | M95010-WMN6TP |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Stato del prodotto: | Attivo | Digi-chiave programmabile: | Verificato |
|---|---|---|---|
| Tipo di memoria: | Non volatile | Formato di memoria: | EEPROM |
| Tecnologia: | EEPROM | Capacità di memoria: | 1Kbit |
| Organizzazione di memoria: | 128 x 8 | Interfaccia di memoria: | SPI |
Descrizione di prodotto
M95010-WMN6TP Tv Diodo Smd Ic Eeprom 1kbit Spi 20mhz 8soic 497-8672-1-Nd
Memoria EEPROM IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
Specifiche diM95010-WMN6TP
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Pacchetto | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro tagliato (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Stato del prodotto | Attivo |
| Digi-Key programmabile | Verificato |
| Tipo di memoria | Non volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 1Kbit |
| Organizzazione della memoria | 128 x 8 |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza dell'orologio | 20MHz |
| Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page | 5ms |
| Tensione - Alimentazione | 2,5 V ~ 5,5 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione/caso | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Numero del prodotto di base | M95010 |
Caratteristiche diM95010-WMN6TP
• Compatibile con il bus di interfaccia periferica seriale (SPI).
• Array di memoria
– 1/2/4 Kbit (128/256/512 byte) di EEPROM
– Dimensione pagina: 16 byte
– Pagina aggiuntiva bloccabile in scrittura (pagina di identificazione) per il codice d'ordine M95040-DF
• Scrivere
– Byte Scrittura entro 5 ms
– Pagina Scrivi entro 5 ms
• Protezione da scrittura
– matrice quarto
– mezzo schieramento
– intero array di memoria
• Frequenza di clock massima: 20 MHz
• Tensione di alimentazione singola:
– da 2,5 V a 5,5 V per M950x0-W
– da 1,8 V a 5,5 V per M950x0-R
– Da 1,7 V a 5,5 V per M95040-DF
• Campo di temperatura di esercizio: da -40 °C fino a +85 °C
• Protezione ESD migliorata
• Più di 4 milioni di cicli di scrittura
• Conservazione dei dati per oltre 200 anni
• Pacchetti conformi a RoHS e privi di alogeni
– SO8N (ECOPACK2)
– TSSOP8 (ECOPACK2)
– UFDFPN8 (ECOPACK2)
Spegnimento DiM95010-WMN6TP
Durante lo spegnimento (diminuzione continua della tensione di alimentazione VCC al di sotto della tensione operativa VCC minima definita nella Tabella 8, Tabella 9 e Tabella 10), il dispositivo deve essere:
• deselezionato (il chip select S deve poter seguire la tensione applicata su VCC)
• in modalità di alimentazione in standby (non deve essere in corso alcun ciclo di scrittura interno)
Classificazioni ambientali e di esportazione diM95010-WMN6TP
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
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