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M95512-WMN6TP Tvs Diodo Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | M95512-WMN6TP |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Stato del prodotto: | Attivo | Digi-chiave programmabile: | Verificato |
|---|---|---|---|
| Tipo di memoria: | Non volatile | Formato di memoria: | EEPROM |
| Tecnologia: | EEPROM | Capacità di memoria: | 512Kbit |
| Organizzazione di memoria: | 64K x 8 | Interfaccia di memoria: | SPI |
Descrizione di prodotto
M95512-WMN6TP Tvs Diodo Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
Memoria EEPROM IC 512Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC
Specifiche diM95512-WMN6TP
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Pacchetto | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro tagliato (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Stato del prodotto | Attivo |
| Digi-Key programmabile | Verificato |
| Tipo di memoria | Non volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 512Kbit |
| Organizzazione della memoria | 64k x 8 |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza dell'orologio | 16MHz |
| Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page | 5ms |
| Tensione - Alimentazione | 2,5 V ~ 5,5 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione/caso | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Numero del prodotto di base | M95512 |
Caratteristiche diM95512-WMN6TP
• Compatibile con il bus di interfaccia periferica seriale (SPI).
• Array di memoria
– 512 Kbit (64 Kbyte) di EEPROM
– Dimensione pagina: 128 byte
– Pagina aggiuntiva bloccabile in scrittura (pagina di identificazione)
• Scrivere il tempo
– Byte Scrittura entro 5 ms
– Pagina Scrivi entro 5 ms
• Protezione da scrittura
– matrice quarto
– mezzo schieramento
– intero array di memoria
• Orologio ad alta velocità: 16 MHz
• Tensione di alimentazione singola:
– Da 2,5 V a 5,5 V per M95512-W
– Da 1,8 V a 5,5 V per M95512-R
– Da 1,7 V a 5,5 V per M95512-DF
• Campo di temperatura di esercizio: da -40 °C fino a +85 °C
• Protezione ESD migliorata
• Più di 4 milioni di cicli di scrittura
• Conservazione dei dati per oltre 200 anni
• Pacchetti
– SO8N (ECOPACK2)
– TSSOP8 (ECOPACK2)
– UFDFPN8 (ECOPACK2)
– WLCSP8 (ECOPACK2)
Spegnimento DiM95512-WMN6TP
Durante lo spegnimento (diminuzione continua della tensione di alimentazione VCC al di sotto della VCC minimatensione di eserciziodefiniti nella Sezione 9 Parametri DC e AC), il dispositivo deve essere:
• deselezionato (Chip select S deve poter seguire la tensione applicata su VCC)
• in modalità di alimentazione Standby (non deve essere in corso alcun ciclo di scrittura interna)
Classificazioni ambientali e di esportazione diM95512-WMN6TP
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0051 |
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