• Memoria Chip Ic Opamp Gp di TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-ND del circuito Sot23-5
Memoria Chip Ic Opamp Gp di TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-ND del circuito Sot23-5

Memoria Chip Ic Opamp Gp di TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-ND del circuito Sot23-5

Dettagli:

Luogo di origine: originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: TLV316IDBVR

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Contenitore di cartone
Tempi di consegna: giorni 1-3working
Termini di pagamento: T/T, L/C
Capacità di alimentazione: 100.000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Stato del prodotto: Attivo Tipo dell'amplificatore: Uso generale
Numero dei circuiti: 1 Tipo dell'uscita: Ferrovia--ferrovia
Tasso di pantano: 6V/µs Prodotto di larghezza di banda di guadagno: 10 megahertz
Corrente - polarizzazione introdotta: PA 10 Tensione - contrappeso introdotto: µV 750

Descrizione di prodotto

Circuito Sot23-5 296-47219-1-Nd del circuito integrato Sot23-5 296-47219-1-Nd di Opamp Gp 1 del chip di memoria di TLV316IDBVR Emmc
 
Amplificatore per uso generico 1 circuito Rail-to-Rail SOT-23-5

 

Specifiche diTLV316IDBVR

 

TIPO DESCRIZIONE
Categoria Circuiti integrati (CI)
Lineare
Amplificatori
Strumentazione, amplificatori operazionali, amplificatori buffer
Mfr Strumenti texani
Serie -
Pacchetto Nastro e bobina (TR)
Nastro tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato del prodotto Attivo
Tipo di amplificatore Scopo generale
Numero di circuiti 1
Tipo di uscita Rail-to-Rail
Tasso di risposta 6V/µs
Guadagna prodotto larghezza di banda 10MHz
Corrente - Bias di ingresso 10 PA
Tensione - Offset ingresso 750 µV
Corrente - Fornitura 400µA
Tensione - Intervallo di alimentazione (min) 1,8 V
Tensione - Intervallo di alimentazione (max) 5,5 V
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione/caso SC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-5
Numero del prodotto di base TLV316

 

Caratteristiche diTLV316IDBVR

 

• Larghezza di banda del guadagno unitario: 10 MHz
• QI basso: 400 µA/ch
– Eccellente rapporto potenza/larghezza di banda
– IQ stabile su temperatura e intervallo di alimentazione
• Ampia gamma di alimentazione: da 1,8 V a 5,5 V
• Basso rumore: 12 nV/√Hz a 1 kHz
• Bassa corrente di polarizzazione in ingresso: 10 pA
• Tensione di offset: 0,75 mV
• Guadagno unitario stabile
• Filtro RFI/EMI interno
 

Applicazioni DiTLV316IDBVR

 

• Strumenti alimentati a batteria:
– Consumatore, Industriale, Medico
– Notebook, lettori multimediali portatili
• Condizionamento del segnale del sensore
• Scanner di codici a barre
• Filtri attivi
• Audio

 

Classificazioni ambientali e di esportazione diTLV316IDBVR

 

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS Conforme a ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 2 (1 anno)
Stato REACH REACH Inalterato
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

Memoria Chip Ic Opamp Gp di TLV316IDBVR Emmc 1 296-47219-1-ND del circuito Sot23-5 0

 

 

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