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IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memoria IC 4Gbit Parallelo 800 MHz 20 Ns 96-TWBGA
Dettagli:
| Luogo di origine: | Originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | IS46TR16256AL-125KBLA2 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Tipo di memoria: | Volatilec | Formato di memoria: | DRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia: | SDRAM - DDR3L | Capacità di memoria: | 4Gbit |
| Organizzazione di memoria: | 256M x 16 | Interfaccia di memoria: | Parallelamente |
| Frequenza di clock: | 800 MHz | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina: | 15ns |
| Tempo di Access: | 20 ns | ||
| Evidenziare: | IS46TR16256AL-125KBLA2,IC di memoria SDRAM DDR3L,IC di memoria a 800 MHz |
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Descrizione di prodotto
IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3L Memoria IC 4Gbit Parallelo 800 MHz 20 ns 96-TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Specificità di IS46TR16256AL-125KBLA2
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Mfr | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Serie | - |
| Pacco | Scaffale |
| Status del prodotto | Non utilizzato |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Dimensione della memoria | 4Gbit |
| Organizzazione della memoria | 256M x 16 |
| Interfaccia della memoria | Parallelamente |
| Frequenza dell'orologio | 800 MHz |
| Scrivere il tempo di ciclo - parola, pagina | 15 ns |
| Tempo di accesso | 20 ns |
| Voltaggio - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | 96-TFBGA |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 96-TWBGA (9x13) |
| Numero del prodotto di base | IS46TR16256 |
CaratteristichediIS46TR16256AL-125KBLA2
* Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Bassa tensione (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compattibile con 1.5V
* Velocità elevata di trasferimento dati con frequenza di sistema fino a 1066 MHz
* 8 banche interne per operazioni simultanee
* Architettura 8n-Bit pre-fetch
* Programmabile CAS Latency
* Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
* Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
* Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
* Sequenza di esplosione programmabile: sequenziale o interleave
* Accendi il tasto BL al volo
* Auto Self Refresh ((ASR))
* Temperatura di rinfresco automatico (SRT)
* Intervallo di aggiornamento:
- 7,8 us (8192 cicli/ 64 ms) Tc= -40°C a 85°C
- 3,9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
* Array parziale auto-refresh
* Pin di ripristino asincrono
* TDQS (Termination Data Strobe) supportato (solo x8)
* OCD (regolamento dell'impedenza del driver fuori del chip)
* ODT dinamico (terminazione immediata)
* Forza del driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Scrivere Livellamento
* Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
* Temperatura di funzionamento:
- Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
- Industria (TC = -40°C a +95°C)
- Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
- Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)
ApplicazionidiIS46TR16256AL-125KBLA2
Configurazione:
- 512Mx8
- 256Mx16
Confezione:
- BGA a 96 palline (9mm x 13mm) per x16
- BGA a 78 palline (9 mm x 10,5 mm) per x8
Classificazioni ambientali e di esportazioneIS46TR16256AL-125KBLA2
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 3 (168 ore) |
| Status REACH | REACH non interessato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
