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MT41K128M16JT-125 IC di memoria IT:K Per 2Gbit Parallelo 800 MHz 13,75 ns 96-FBGA
Dettagli:
| Luogo di origine: | Originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | MT41K128M16JT-125 L'IT: K |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 3-5 giorni |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Tipo di memoria: | Volatile | Formato di memoria: | DRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia: | SDRAM - DDR3L | Dimensione della memoria: | 2Gbit |
| Organizzazione della memoria: | 128M x 16 | Interfaccia della memoria: | Parallelamente |
| Frequenza dell'orologio: | 800 MHz | Tempo di accesso: | 130,75 ns |
Descrizione di prodotto
MT41K128M16JT-125 IC di memoria IT:K Per 2Gbit Parallelo 800 MHz 13,75 ns 96-FBGA
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
Specificità diMT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M412M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Mfr | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Pacco | Altri prodotti |
| Status del prodotto | Attivo |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
| Dimensione della memoria | 2Gbit |
| Organizzazione della memoria | 128M x 16 |
| Interfaccia della memoria | Parallelamente |
| Frequenza dell'orologio | 800 MHz |
| Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 130,75 ns |
| Voltaggio - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
| Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | 96-TFBGA |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 96-FBGA (8x14) |
| Numero del prodotto di base | MT4117M |
Caratteristiche delMT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M412M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4
• VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283 ∼1,45 V)
• retrocompatibile con VDD = VDDQ = 1,5V ± 0,075V
• Strobo differenziale bidirezionale
• Architettura prefetch a 8n-bit
• Input di orologio differenziale (CK, CK#)
• 8 banche interne
• Terminazione nominale e dinamica (ODT) per i segnali di dati, strobe e maschere
• latenza programmabile del CAS (READ) (CL)
• latenza additiva CAS (AL) programmabile
• Programmabile CAS (WRITE) latenza (CWL)
• lunghezza di scatto fissa (BL) di 8 e taglio di scatto (BC) di 4 (attraverso il set di registri di modalità [MRS])
• BC4 o BL8 selezionabili in volo (OTF)
• Modalità di aggiornamento automatico
• TC di 95°C
- 64ms, 8192 cicli di aggiornamento fino a 85°C
32 ms, 8192 cicli di aggiornamento a > 85°C a 95°C
• Temperatura di autoaggiornamento (SRT)
Descrizioni diMT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M412M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4
Il dispositivo SDRAM DDR3L da 1,35 V è una versione a bassa tensione del dispositivo SDRAM DDR3 da 1,5 V. Si rimanda alle specifiche della scheda dati DDR3 (1.5 V) SDRAM quando viene eseguito in modalità compatibile da 1,5 V.
Classificazioni ambientali e di esportazioneMT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M412M412M412M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M416M4
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 3 (168 ore) |
| Status REACH | REACH non interessato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
