• NAND512W3A2SN6E FLASH - CI di memoria NAND 512 Mbit Parallela 50 ns 48-TSOP
NAND512W3A2SN6E FLASH - CI di memoria NAND 512 Mbit Parallela 50 ns 48-TSOP

NAND512W3A2SN6E FLASH - CI di memoria NAND 512 Mbit Parallela 50 ns 48-TSOP

Dettagli:

Luogo di origine: Originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: NAND512W3A2SN6E

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: 3-5 giorni
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000
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Informazioni dettagliate

Tipo di memoria: Non volatile Formato di memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND Capacità di memoria: 512Mbit
Organizzazione di memoria: 64M x 8 Interfaccia di memoria: Parallelamente
Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina: 50ns Tempo di Access: 50 NS
Voltaggio - Fornitura: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 85°C (TA)

Descrizione di prodotto

NAND512W3A2SN6E FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
 
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
 
Specificità diNAND512W3A2SN6E

 

TIPO Descrizione
Categoria Memoria
Mfr Micron Technology Inc.
Serie -
Pacco Scaffale
Tipo di memoria Non volatili
Formato di memoria Flash
Tecnologia Flash - NAND
Dimensione della memoria 512Mbit
Organizzazione della memoria 64M x 8
Interfaccia della memoria Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina 50 ns
Tempo di accesso 50 ns
Voltaggio - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm di larghezza)
Confezione del dispositivo del fornitore 48-TSOP
Numero del prodotto di base NAND512


Classificazioni ambientali e di esportazioneNAND512W3A2SN6E

 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 ore)
Status REACH REACH non interessato
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 

NAND512W3A2SN6E FLASH - CI di memoria NAND 512 Mbit Parallela 50 ns 48-TSOP 0

 

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