• MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND Memory IC 1Gbit Parallel 48-TSOP
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND Memory IC 1Gbit Parallel 48-TSOP

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND Memory IC 1Gbit Parallel 48-TSOP

Dettagli:

Luogo di origine: Originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: MT29F1G08ABADAWP-ITX:

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Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: 3-5 giorni
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000
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Informazioni dettagliate

Formato di memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND
Capacità di memoria: 1Gbit Organizzazione di memoria: 128M x 8
Interfaccia di memoria: Parallelamente Voltaggio - Fornitura: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 85°C (TA) Pacco: Scaffale
Evidenziare:

MT29F1G08ABADAWP-ITX:

,

FLASH Nand Memory IC

,

48-TSOP IC di memoria

Descrizione di prodotto

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND Memory IC 1Gbit Parallel 48-TSOP
 
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
 
Specificità diMT29F1G08ABADAWP-ITX:

 

TIPO
Descrizione
Categoria
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Mfr
Micron Technology Inc.
Serie
-
Pacco
Scaffale
Status del prodotto
Non utilizzato
Tipo di memoria
Non volatili
Formato di memoria
Flash
Tecnologia
Flash - NAND
Dimensione della memoria
1Gbit
Organizzazione della memoria
128M x 8
Interfaccia della memoria
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina
-
Voltaggio - Fornitura
2.7V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Confezione / Cassa
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm di larghezza)
Confezione del dispositivo del fornitore
48-TSOP I
Numero del prodotto di base
MT2F1G08
   


Classificazioni ambientali e di esportazioneMT29F1G08ABADAWP-ITX:

 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 ore)
Status REACH REACH non interessato
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - NAND Memory IC 1Gbit Parallel 48-TSOP 0

 

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