 |
SIA427DJ-T1-GE3 P-Channel 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6
Dettagli:
| Luogo di origine: | Originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | SIA427DJ-T1-GE3 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 3-5 giorni |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000 |
|
Informazioni dettagliate |
|||
| Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) | Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 8 V |
|---|---|---|---|
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: | 12A (TC) | Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 16mOhm @ 8,2A, 4,5V | Vgs(th) (Max) @ Id: | 800 mV @ 250 μA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 50 nC @ 5 V | Vgs (Max): | ± 5V |
Descrizione di prodotto
SIA427DJ-T1-GE3 Chip di circuito integrato P-Channel 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6
Specificità diSIA427DJ-T1-GE3
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Transistori | |
| FET, MOSFET | |
| FET singoli, MOSFET | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Pacco | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro di taglio (CT) | |
| Tipo di FET | Canale P |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 8 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8,2A, 4,5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800 mV @ 250 μA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ± 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 4 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione del dispositivo del fornitore | PowerPAK® SC-70-6 |
| Confezione / Cassa | PowerPAK® SC-70-6 |
| Numero del prodotto di base | SIA427 |
Caratteristiche delSIA427DJ-T1-GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• Nuovo pacchetto PowerPAK® SC-70 potenziato termicamente
- Piccola area
- Bassa resistenza
• 100% Rg Testato
Applicazioni diSIA427DJ-T1-GE3
• Interruttore di carico, per linee di alimentazione a 1,2 V per dispositivi portatili e portatili
Classificazioni ambientali e di esportazioneSIA427DJ-T1-GE3
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto