• SSM6J414TU,LF P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) UF6 montato in superficie
SSM6J414TU,LF P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) UF6 montato in superficie

SSM6J414TU,LF P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) UF6 montato in superficie

Dettagli:

Luogo di origine: Originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: SSM6J414TU, LF

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: 3-5 giorni
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Tipo di FET: P-Manica Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 20 V Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 6A (tum)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 1,5 V, 4,5 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 23.1 nC @ 4,5 V

Descrizione di prodotto

SSM6J414TU,LF P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) UF6 montato in superficie
 
Specificità diSSM6J414TU, LF
 

TIPO Descrizione
Categoria Prodotti di semiconduttori discreti
  Transistori
  FET, MOSFET
  FET singoli, MOSFET
Mfr Toshiba Semiconductor e Storage
Serie U-MOSVI
Pacco Nastro e bobina (TR)
  Nastro di taglio (CT)
Status del prodotto Attivo
Tipo di FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 20 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 23.1 nC @ 4,5 V
Vgs (Max) ± 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 10 V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (Max) 1W (Ta)
Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore UF6
Confezione / Cassa 6-SMD, conduttori piatti
Numero del prodotto di base SSM6J414

 
 
Caratteristiche delSSM6J414TU, LF


(1) tensione di azionamento del cancello da 1,5 V.
(2) Resistenza di scarico basso:

RDS ((ON) = 54 mΩ (max) (@VGS = -1,5 V)
RDS ((ON) = 36 mΩ (max) (@VGS = -1,8 V)
RDS ((ON) = 26 mΩ (max) (@VGS = -2,5 V)
RDS ((ON) = 22,5 mΩ (max) (@VGS = -4,5 V)

 

 


Applicazioni diSSM6J414TU, LF


• Interruttori di gestione dell'alimentazione

 


Classificazioni ambientali e di esportazioneSSM6J414TU, LF

 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
SSM6J414TU,LF P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) UF6 montato in superficie 0

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