 |
TPC8067-H,LQ(S) Canale N 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) Montatura superficiale 8-SOP
Dettagli:
| Luogo di origine: | Originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | TPC8067-H,LQ(S) |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 3-5 giorni |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000 |
|
Informazioni dettagliate |
|||
| Tipo di FET: | Canale N | Tecnologia: | 1 canale (mono) |
|---|---|---|---|
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 30 V | Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: | 9A (Ta) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25mOhm @ 4,5A, 10V |
Descrizione di prodotto
TPC8067-H,LQ(S) Canale N 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) Montatura superficiale 8-SOP
Specificità diTPC8067-H,LQ(S)
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Transistori | |
| FET, MOSFET | |
| FET singoli, MOSFET | |
| Mfr | Toshiba Semiconductor e Storage |
| Serie | U-MOSVII-H |
| Pacco | Nastro e bobina (TR) |
| Status del prodotto | Non utilizzato |
| Tipo di FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 30 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4,5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100μA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 10 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (Max) | 1W (Ta) |
| Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 8-SOP |
| Confezione / Cassa | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza) |
| Numero del prodotto di base | TPC8067 |
Caratteristiche del TPC8067-H,LQ(S)
(1) Confezione piccola e sottile
(2) Commutazione ad alta velocità
(3) Piccole cariche di porta: QSW = 1,9 nC (tipico)
(4) Resistenza di accensione a basso consumo: RDS ((ON) = 26 mΩ (tipico) (VGS = 4,5 V)
(5) Corrente a bassa perdita: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
(6) Modalità di potenziamento: Vth = 1,3 a 2,3 V (VDS = 10 V, ID = 0,1 mA)
Applicazioni di TPC8067-H,LQ(S)
• Convertitori DC-DC ad alta efficienza
• PC portatili
• Telefoni mobili
Classificazioni ambientali e di esportazioneTPC8067-H,LQ(S)
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità RoHS |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto