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TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Superficie montata 8-SOP
Dettagli:
| Luogo di origine: | Originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | TPH8R008NH,L1Q |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 3-5 giorni |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Tipo di FET: | Canale N | Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) |
|---|---|---|---|
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 80 V | Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: | 34A (TC) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 500µA | Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 35 nC @ 10 V |
Descrizione di prodotto
TPH8R008NH,L1Q N-Channel 80 V 34A (Tc) 1.6W (Ta), 61W (Tc) Superficie montata 8-SOP
Specificità diTPH8R008NH,L1Q
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Transistori | |
| FET, MOSFET | |
| FET singoli, MOSFET | |
| Mfr | Toshiba Semiconductor e Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Pacco | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro di taglio (CT) | |
| Tipo di FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 80 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500μA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 40 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (Max) | 1.6W (Ta), 61W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 8-SOP Advance (5x5) |
| Confezione / Cassa | 8-PowerVDFN |
| Numero del prodotto di base | TPH8R008 |
Caratteristiche del TPH8R008NH,L1Q
(1) Confezione piccola e sottile
(2) Commutazione ad alta velocità
(3) Piccole cariche di porta: QSW = 13 nC (tipico.)
(4) Resistenza di accensione a basso consumo: RDS ((ON) = 6,6 mΩ (tipico) (VGS = 10 V)
(5) Corrente a bassa perdita: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 80 V)
(6) Modalità di potenziamento: Vth = 2,0 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)
Applicazioni di TPH8R008NH,L1Q
• Convertitori CC-CC
• Cambiare regolatori di tensione
• Autisti
Classificazioni ambientali e di esportazioneTPH8R008NH,L1Q
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità RoHS |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Status REACH | REACH non interessato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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