• UMZ1NTR Bipolar Transistor Array NP NPNP 50V 150mA 180MHz 140MHz 150mW
UMZ1NTR Bipolar Transistor Array NP NPNP 50V 150mA 180MHz 140MHz 150mW

UMZ1NTR Bipolar Transistor Array NP NPNP 50V 150mA 180MHz 140MHz 150mW

Dettagli:

Luogo di origine: originario
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: UMZ1NTR

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: giorni 1-3working
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 100.000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Tipo di transistor: NPN, PNP Corrente - collettore (CI) (massimo): 150 MA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 50V Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - taglio del collettore (massimo): 100nA (ICBO) Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Potenza - Max: 150mW Frequenza - transizione: 180 MHz, 140 MHz

Descrizione di prodotto

UMZ1NTR Bipolar Transistor Array NP NPNP 50V 150mA 180MHz 140MHz 150mW
 
Specificità di UMZ1NTR

 

TIPODescrizione
CategoriaProdotti di semiconduttori discreti
 Transistori
 Bipolare (BJT)
 Array di transistor bipolari
MfrSemiconduttore Rohm
Serie-
PaccoNastro e bobina (TR)
 Nastro di taglio (CT)
Status del prodottoAttivo
Tipo di transistorNPN, PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150 mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max)50 V
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - limite del collettore (massimo)100nA (ICBO)
Cfr. la sezione 5.2.120 @ 1mA, 6V
Potenza - Max150 mW
Frequenza - Transizione180 MHz, 140 MHz
Temperatura di funzionamento150°C (TJ)
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Confezione / Cassa6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Confezione del dispositivo del fornitoreUMT6
Numero del prodotto di baseUMZ1

 
Caratteristichedi
UMZ1NTR
1) Sia un chip 2SA1037AK che un chip 2SC2412K in un pacchetto EMT, UMT o SMT.
2) Possibile il montaggio con macchine di montaggio automatiche EMT3, UMT3 o SMT3.
3) Gli elementi del transistor sono indipendenti, eliminando le interferenze.
4) I costi di montaggio e la superficie possono essere ridotti a metà
 
 
DescrizionidiUMZ1NTR
Amplificatore di segnale di piccole dimensioni
 
Classificazioni ambientali ed esportazionidiUMZ1NTR
 

AttributoDescrizione
Status RoHSCompatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL)1 (illimitato)
Status REACHREACH non interessato
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075


UMZ1NTR Bipolar Transistor Array NP NPNP 50V 150mA 180MHz 140MHz 150mW 0

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