• SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canale 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canale 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8

SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canale 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8

Dettagli:

Luogo di origine: originario
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: SQJ858AEP-T1_GE3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Cartone
Tempi di consegna: 1-3 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 100,000
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Informazioni dettagliate

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 40 V Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 58A (TC)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Vgs (Max): ± 20V Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Evidenziare:

SQJ858AEP-T1_GE3 smd ic

,

40 V

Descrizione di prodotto

SQJ858AEP-T1_GE3 Canale N 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Montaggio superficiale PowerPAK® SO-8


Specificità diSQJ858AEP-T1_GE3

 

TIPO Descrizione
Categoria Prodotti di semiconduttori discreti
  Transistori
  FET, MOSFET
  FET singoli, MOSFET
Mfr Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Pacco Nastro e bobina (TR)
  Nastro di taglio (CT)
Tipo di FET Canale N
Tecnologia MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) 40 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2450 pF @ 20 V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (Max) 48 W (Tc)
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore PowerPAK® SO-8
Confezione / Cassa PowerPAK® SO-8
Numero del prodotto di base SQJ858

 

Caratteristiche del SQJ858AEP-T1_GE3


• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 Qualificato
• 100% Rg e UIS testati

 


AmbientaleClassificazioni delle esportazioni di SQJ858AEP-T1_GE3
 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canale 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8 0

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