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FDMC8200s Array Mosfet 30 V 6 A, 8,5 A 700 mW, 1 W Montaggio superficiale 8-Power33 (3x3)
Dettagli:
| Luogo di origine: | originario |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | FDMC8200 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 1-3 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 100,000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) | Configurazione: | 2 N-Manica (doppi) |
|---|---|---|---|
| Caratteristica del FET: | Portone del livello logico | Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 30V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: | 6A, 8.5A | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA | Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
Descrizione di prodotto
FDMC8200s Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Specificità di FDMC8200
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Transistori | |
| FET, MOSFET | |
| FET, MOSFET Arrays | |
| Mfr | semi |
| Serie | PowerTrench® |
| Pacco | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro di taglio (CT) | |
| Status del prodotto | Attivo |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Configurazione | 2 canale N (doppia) |
| Caratteristica FET | Portale di livello logico |
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 30 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 6A, 8.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Potenza - Max | 700mW, 1W |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | 8-PowerWDFN |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 8-Power33 (3x3) |
| Numero del prodotto di base | FDMC82 |
Caratteristiche del FDMC8200
• Q1: N-canale
* Max rDS ((on) = 20 m a VGS = 10 V, ID = 6 A
* Max rDS ((on) = 32 m a VGS = 4,5 V, ID = 5 A
• Q2: canale N
* Max rDS ((on) = 10 m a VGS = 10 V, ID = 8,5 A
* Max rDS ((on) = 13,5 m a VGS = 4,5 V, ID = 7,2 A
• Questo dispositivo è privo di Pb−, di alogenuri ed è conforme alla RoHS
Applicazioni di FDMC8200
• Informatica mobile
• Dispositivi Internet mobili
• Punto di carico per finalità generale
AmbientaleClassificazioni delle esportazioni di FDMC8200
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Status REACH | REACH non interessato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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