• IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 Ns 44-TSOP II
IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 Ns 44-TSOP II

IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 Ns 44-TSOP II

Dettagli:

Luogo di origine: Originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: IS64LV25616AL-12TLA3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: scatola di cartone
Tempi di consegna: 1-3 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 100,000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Tipo di memoria: Volatile Formato di memoria: SRAM
SRAM - Asincrono: SRAM - Asincrono Dimensione della memoria: 4Mbit
Organizzazione della memoria: 256K x 16 Interfaccia della memoria: Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina: 12ns Voltaggio - Fornitura: 3.135V ~ 3.6V
Evidenziare:

IS64LV25616AL-12TLA3

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IS64LV25616AL-12TLA3 IC di memoria asincrona

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SRAM - IC di memoria asincrona

Descrizione di prodotto

IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 ns 44-TSOP II

 

Specificità di IS64LV25616AL-12TLA3

 

TIPO Descrizione
Categoria Circuiti integrati (CI)
  Memoria
  Memoria
Mfr ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Serie -
Pacco Scaffale
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria SRAM
Tecnologia SRAM - Asincrono
Dimensione della memoria 4Mbit
Organizzazione della memoria 256K x 16
Interfaccia della memoria Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina 12 ns
Tempo di accesso 12 ns
Voltaggio - Fornitura 3.135V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 44-TSOP (0,400", 10,16 mm di larghezza)
Confezione del dispositivo del fornitore 44-TSOP II
Numero del prodotto di base IS64LV25616

 

CaratteristichediIS64LV25616AL-12TLA3


• Tempo di accesso ad alta velocità: 10, 12 ns
• Funzionamento CMOS a basso consumo
• Potenza in stand-by bassa: meno di 5 mA (tipico) stand-by CMOS
• Livelli di interfaccia compatibili TTL
• Fornitore di alimentazione singolo da 3,3 V
• Funzionamento completamente statico: non è richiesto alcun orologio o aggiornamento
• Prodotti di tre Stati
• Controllo dei dati per byte superiori e inferiori
• Temperatura industriale disponibile
• Offerte di temperatura:
- Opzione A1: ∼40°C a +85°C
- Opzione A2: ¥40°C a +105°C
- Opzione A3: ¥40°C a +125°C
• Disponibile senza piombo

 

 

Applicazioni diIS64LV25616AL-12TLA3



L'ISSI IS64LV25616AL è un'autostrada ad alta velocità,194RAM statica a 304 bit organizzata in 262.144 parole per 16 bit.

 

 

Classificazioni ambientali e di esportazioneIS64LV25616AL-12TLA3

 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 ore)
Status REACH REACH non interessato
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

 

IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit parallela 12 Ns 44-TSOP II 0

 

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