• EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gbit parallelo 533 MHz
EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gbit parallelo 533 MHz

EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gbit parallelo 533 MHz

Dettagli:

Luogo di origine: Originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: EDB1332BDBH-1DIT-F-R

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: scatola di cartone
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Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 100,000
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Informazioni dettagliate

Tipo di memoria: Volatile Tecnologia: SDRAM - LPDDR2 mobile
Dimensione della memoria: 1Gbit Organizzazione della memoria: 32M x 32
Interfaccia della memoria: Parallelamente Frequenza dell'orologio: 533 megahertz
Voltaggio - Fornitura: 1.14V ~ 1.95V Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 85°C (TC)

Descrizione di prodotto

EDB1332BDBH-1DIT-F-R SDRAM Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gbit parallelo 533 MHz
 

Specificità di EDB1332BDBH-1DIT-F-R

 

TIPO Descrizione
Categoria Circuiti integrati (CI)
  Memoria
  Memoria
Mfr Micron Technology Inc.
Serie -
Pacco Nastro e bobina (TR)
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - LPDDR2 mobile
Dimensione della memoria 1Gbit
Organizzazione della memoria 32M x 32
Interfaccia della memoria Parallelamente
Frequenza dell'orologio 533 MHz
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina -
Voltaggio - Fornitura 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 134-VFBGA
Confezione del dispositivo del fornitore 134-VFBGA (10x11.5)
Numero del prodotto di base EDB1332

 


Classificazioni ambientali e di esportazioneEDB1332BDBH-1DIT-F-R

 

Attributo Descrizione
Status RoHS Compatibilità ROHS3
livello di sensibilità all'umidità (MSL) 3 (168 ore)
Status REACH REACH non interessato
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0032

 

 

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