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IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit Parallelo 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
Dettagli:
| Luogo di origine: | Originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | IS42S16800F-6TL |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 1-3 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 100,000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Pacco: | Scaffale | Tipo di memoria: | Volatile |
|---|---|---|---|
| Formato di memoria: | DRAM | Dimensione della memoria: | 128Mbit |
| Organizzazione della memoria: | 8M x 16 | Interfaccia della memoria: | Parallelamente |
| Frequenza dell'orologio: | 166 MHz | ||
Descrizione di prodotto
IS42S16800F-6TL Memoria SDRAM IC 128Mbit Parallelo 166 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
Specificità di IS42S16800F-6TL
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Serie | - |
| Pacco | Scaffale |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM |
| Dimensione della memoria | 128Mbit |
| Organizzazione della memoria | 8M x 16 |
| Interfaccia della memoria | Parallelamente |
| Frequenza dell'orologio | 166 MHz |
| Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | 5.4 ns |
| Voltaggio - Fornitura | 3V ~ 3,6V |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm di larghezza) |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 54-TSOP II |
| Numero del prodotto di base | IS42S16800 |
Caratteristiche di IS42S16800F-6TL
• Frequenza di orologeria: 200, 166, 143 MHz
• Completamente sincronizzato; tutti i segnali sono riferiti a un filo orario positivo
• Banca interna per l'accesso/precarica della fila nascosta
• alimentazione Vdd Vddq
-IS42/45S81600F 3.3V 3.3V
-IS42/45S16800F 3.3V 3.3V
• Interfaccia LVTTL
• lunghezza di scatto programmabile
️ (1, 2, 4, 8, pagina intera)
• Sequenza di scoppio programmabile: Sequenziale/Interleave
• Aggiornamento automatico (CBR)
• Ristruggetevi
• 4096 cicli di aggiornamento ogni 16 ms (grado A2) o 64 ms (grado commerciale, industriale, A1)
• Indirizzo di colonna casuale ogni ciclo di orologio
• latenza CAS programmabile (2, 3 ore)
• Capacità di lettura/scrittura e di lettura/scrittura singola
• Terminare il colpo di scarica tramite comando di arresto e di precarica
• Intervalli di temperatura:
- Commerciale (0 °C a + 70 °C)
- Industria (da -40° C a +85° C)
-Automotive, A1 (-40°C a +85°C)
-Automotive, A2 (-40°C a +105°C)
Descrizioni diIS42S16800F-6TL
La SDRAM da 128 Mb è una memoria CMOS ad alta velocità, a accesso casuale dinamico progettata per funzionare in sistemi di memoria da 3,3 V Vdd e 3,3 V Vddq contenenti 134,217728 bit.
Classificazioni ambientali e di esportazioneIS42S16800F-6TL
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 3 (168 ore) |
| Status REACH | REACH non interessato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0002 |
