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IRFR2607ZTRPBF Transistor IC Chip N Canale PG-TO252-3-901 DPAK 75V 42A
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | Original |
| Certificazione: | Original |
| Numero di modello: | IRFR2607ZTRPBF |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Tipo del FET: | N-Manica | Vuoti a tensione di fonte (Vdss): | 75 V |
|---|---|---|---|
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: | 42A (TC) | RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: | 22mOhm @ 30A, 10V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: | 4V @ 50µA | Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 51 nC @ 10 V |
| Evidenziare: | IRFR2607ZTRPBF,chip IC transistor 75V 42A,canale N IRFR2607ZTRPBF |
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Descrizione di prodotto
IRFR2607ZTRPBF Transistor IC Chip canale N 75 V 42A PG-TO252-3-901|RPAK
Caratteristiche di IRFR2607ZTRPBF
Tecnologia di processo avanzata
Bassissima resistenza all'accensione
Temperatura di esercizio 175°C
Cambio rapido
Valanga ripetitiva Permessa fino a Tjamx
Senza piombo
Caratteristiche del prodottoDiIRFR2607ZTRPBF
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Prodotto
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IRFR2607ZTRPBF
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Tipo FET
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Canale N
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Tecnologia
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MOSFET (ossido di metallo)
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Tensione drain-source (Vdss)
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75 V
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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
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42A (TC)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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22mOhm @ 30A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 50µA
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Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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51 nC @ 10 V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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1440 pF a 25 V
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Funzionalità FET
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-
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Tipo di montaggio
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Montaggio superficiale
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Pacchetto dispositivo fornitore
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PG-TO252-3-901|DPAK
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Confezione/caso
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TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguetta), SC-63
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Numero del prodotto di base
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IRFR2607
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Classificazioni ambientali e di esportazione di IRFR2607ZTRPBF
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
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| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
Descrizione diIRFR2607ZTRPBF
Questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere valori estremamente bassi
On-resistenza per area di silicio.Ulteriori caratteristiche di questo design sono il funzionamento della giunzione a 175°C
temperatura, velocità di commutazione rapida e migliore valutazione delle valanghe ripetitive.Queste caratteristiche si combinano
per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
