• MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrato CI Chip Dram 256mbit 84fbga parallelo di B
MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrato CI Chip Dram 256mbit 84fbga parallelo di B

MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrato CI Chip Dram 256mbit 84fbga parallelo di B

Dettagli:

Luogo di origine: originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: MT47H16M16BG-3IT: B

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Contenitore di cartone
Tempi di consegna: giorni 1-3working
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 100.000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Pacchetto: Nastro & bobina (TR) Stato del prodotto: Obsoleto
Tipo di memoria: Volatile Formato di memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM-DDR2 Capacità di memoria: 256 MB
Organizzazione di memoria: 16M x 16 Interfaccia di memoria: Parallelo

Descrizione di prodotto

MT47H16M16BG-3IT: Transistor CI Chip Ic Dram 256mbit 84fbga parallelo di B

 

SDRAM - DDR2 la memoria IC 256Mbit parallelizza 333 megahertz 450 ps 84-FBGA (8x14)

 

Specifiche di MT47H16M16BG-3IT: B

 

TIPO DESCRIZIONE
Categoria Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Mfr Micron Technology Inc.
Serie -
Pacchetto Nastro & bobina (TR)
Stato del prodotto Obsoleto
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR2
Capacità di memoria 256Mbit
Organizzazione di memoria 16M x 16
Interfaccia di memoria Parallelo
Frequenza di clock 333 megahertz
Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 450 ps
Tensione - rifornimento 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 95°C (TC)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso 84-FBGA
Pacchetto del dispositivo del fornitore 84-FBGA (8x14)
Numero del prodotto di base MT47H16M16

 

 

 

Caratteristiche di MT47H16M16BG-3IT: B

 

• Vdd = +1.8V ±0.1V, VddQ = +1.8V ±0.1V
• 1.8V ingresso/uscita JEDEC-standard (SSTL_18-compatible)
• Opzione differenziale dello stroboscopio di dati (DQS, DQS #)
• architettura di prefetch 4n-bit
• Opzione duplicata dello stroboscopio dell'uscita (RDQS) per x8
• DLL per allineare le transizioni di DQS e di DQ con le CK
• 4 banche interne per l'operazione simultanea
• Latenza programmabile di CAS (CL)
• Latenza additiva inviata di CAS (AL)
• SCRIVA la latenza = la latenza COLTA - 1 tCK
• Lunghezze scoppiate selezionabili (BL): 4 o 8
• Forza regolabile dell'azionamento dell'dato-uscita
• 64ms, ciclo 8.192 rinfrescare
• termine del Su dado (ODT)
• Opzione industriale di temperatura (l'IT)
• Opzione automobilistica di temperatura (A)
• RoHS compiacente
• Specificazione del nervosismo dell'orologio di sostegni JEDEC
 
Temperatura automobilistica di MT47H16M16BG-3IT: B
 
L'opzione automobilistica di temperatura (A), se offerto, ha due requisiti simultanei: la temperatura ambiente che circonda il dispositivo non può essere più di meno – 40°C o maggior di +105°C e la temperatura di caso non può essere più di meno di – di 40°C o maggior delle specifiche di +105°C. JEDEC richiedono la velocità di rinfrescamento per raddoppiarsi quando il TC supera +85°C; ciò inoltre richiede l'uso dell'auto ad alta temperatura di rinfrescare l'opzione. Ulteriormente, la resistenza di ODT e l'impedenza dell'ingresso/uscita devono essere ridotte le imposte su quando il TC è < 0=""> +85°C.
 

Classificazioni dell'esportazione & ambientali di MT47H16M16BG-3IT: B

 

 

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato di RoHS ROHS3 compiacente
Livello di sensibilità di umidità (MSL) 3 (168 ore)
Stato di PORTATA RAGGIUNGA inalterato
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0024

 

 

 

MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrato CI Chip Dram 256mbit 84fbga parallelo di B 0

Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto
Sono interessato a MT47H16M16BG-3IT: Circuito integrato CI Chip Dram 256mbit 84fbga parallelo di B potresti inviarmi maggiori dettagli come tipo, dimensione, quantità, materiale, ecc.
Grazie!
Aspettando la tua risposta.