• F450R07W1H3B11ABOMA1 650V Moduli Igbt chip circuito integrato IC
F450R07W1H3B11ABOMA1 650V Moduli Igbt chip circuito integrato IC

F450R07W1H3B11ABOMA1 650V Moduli Igbt chip circuito integrato IC

Dettagli:

Luogo di origine: originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: F450R07W1H3B11ABOMA1

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Contenitore di cartone
Tempi di consegna: giorni 1-3working
Termini di pagamento: T/T, L/C
Capacità di alimentazione: 100.000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Mfr: Infineon Technologies Serie: EasyPACK™
Pacchetto: Vassoio Stato del prodotto: Attivo
Tipo IGBT: Fermata del campo di trincea Configurazione: Invertitore pieno del ponte
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 650V Corrente - collettore (CI) (massimo): 55 A
Evidenziare:

F450R07W1H3B11ABOMA1

,

moduli Igbt chip IC

,

chip IC circuito integrato 650V

Descrizione di prodotto

F450R07W1H3B11ABOMA1 Moduli Igbt chip circuito integrato IC

 

Modulo IGBT Trench Field Stop Inverter a ponte intero 650 V 55 A 200 W Modulo a montaggio su telaio

 

Specifiche di F450R07W1H3B11ABOMA1

 

TIPO DESCRIZIONE
Categoria Prodotti discreti a semiconduttore
Transistor
IGBT
Moduli IGBT
Mfr Tecnologie Infineon
Serie EasyPACK™
Pacchetto Vassoio
Stato del prodotto Attivo
Tipo IGBT Fermata del campo di trincea
Configurazione Inverter a ponte intero
Tensione - Guasto dell'emettitore del collettore (max) 650 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max) 55 A
Potenza - max 200 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1,85 V a 15 V, 25 A
Corrente - Interruzione collettore (max) 50µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3,25 nF a 25 V
Ingresso Standard
Termistore NTC
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio su telaio
Confezione/caso Modulo
Pacchetto dispositivo fornitore Modulo
Numero del prodotto di base F450R07

 

Caratteristiche diF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Maggiore capacità di tensione di blocco a 650V
• IGBT ad alta velocità H3
• Design a bassa induzione
• Basse perdite di commutazione
• Basso VCEsat
• Isolamento 2,5 kV CA 1 min
• Elevate distanze di fuga e di sicurezza
• Tecnologia di contatto PressFIT
• A norma RoHS
• Montaggio robusto grazie al montaggio integrato
morsetti

 

Applicazioni diF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Applicazioni automobilistiche
• Applicazione di commutazione ad alta frequenza
• Convertitore CC/CC
• Inverter ausiliari
• Veicoli elettrici ibridi (H)EV
• Riscaldamento induttivo e saldatura
 

Classificazioni ambientali e di esportazione diF450R07W1H3B11ABOMA1

 
ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS Conforme a ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Stato REACH REACH Inalterato
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 

F450R07W1H3B11ABOMA1 650V Moduli Igbt chip circuito integrato IC 0



 

 

 

 

 

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