• PIANO EPITASSIALE del SILICIO NPN del chip 200MA di IC del transistor MMBT3904
PIANO EPITASSIALE del SILICIO NPN del chip 200MA di IC del transistor MMBT3904

PIANO EPITASSIALE del SILICIO NPN del chip 200MA di IC del transistor MMBT3904

Dettagli:

Luogo di origine: originale
Marca: original
Certificazione: original
Numero di modello: MMBT3904

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiation
Imballaggi particolari: Contenitore di cartone
Tempi di consegna: giorni 1-3working
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 100.000
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Corrente - collettore (CI) (massimo): 200 mA Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 40 V
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI: 300mV @ 5mA, 50mA Corrente - taglio del collettore (massimo): 50nA
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce: 100 @ 10mA, 1V Massimo elettrico: 300 mW
Frequenza - transizione: 250MHz Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Descrizione di prodotto

PIANO EPITASSIALE del SILICIO NPN del chip 200MA di IC del transistor MMBT3904
 
Transistor bipolare (BJT) NPN 40 V 200 mA 250MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
Specifiche di MMBT3904
 

TIPO DESCRIZIONE
Categoria Prodotti a semiconduttori discreti
Transistor
Bipolare (BJT)
Singoli transistor bipolari
Mfr SEMICONDUTTORE DI ANBON (INTERNAZIONALE) LIMITATO
Serie -
Pacchetto Nastro & bobina (TR)
Tagli il nastro (CT)
Stato del prodotto Attivo
Tipo del transistor NPN
Corrente - collettore (CI) (massimo) 200 mA
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 40 V
Saturazione di Vce (massima) @ Ib, CI 300mV @ 5mA, 50mA
Corrente - taglio del collettore (massimo) 50nA
Guadagno corrente di CC (hFE) (min) @ CI, Vce 100 @ 10mA, 1V
Massimo elettrico 300 Mw
Frequenza - transizione 250MHz
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore SOT-23
Numero del prodotto di base MMBT390

 
Caratteristiche di MMBT3904

 
• Alta tensione del collettore-emitterbreakdien. (BVCEO 40V Min.@Ic =1mA)
• Il piccolo transistor del commutatore del carico con alto guadagno e saturazione bassa, è progettato per l'amplificatore per tutti gli usi e le applicazioni di commutazione alla corrente di collettore.
• Capace di dissipazione di potere 225mW.
• Le parti senza piombo per il partner verde, supera le norme ambientali di MIL-STD-19500/228
• Suffisso «- la H» indica la parte senza alogeno, ex. MMBT3904-H.

Classificazioni dell'esportazione & ambientali di MMBT3904
 

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato di RoHS ROHS3 compiacente
Livello di sensibilità di umidità (MSL) 1 (illimitato)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
PIANO EPITASSIALE del SILICIO NPN del chip 200MA di IC del transistor MMBT3904 0

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