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BSC900N20NS3GATMA1 Modulo Wireless Rf Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | BSC900N20NS3GATMA1 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Stato del prodotto: | Attivo | Tipo del FET: | N-Channelxer |
|---|---|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) | Vuoti a tensione di fonte (Vdss): | 200 V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: | 15.2A (TC) | Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: | 90mOhm @ 7.6A, 10V | Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: | 4V @ 30µA |
Descrizione di prodotto
BSC900N20NS3GATMA1 Modulo Wireless Rf Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
Canale N 200 V 15,2 A (Tc) 62,5 W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-5
Specifiche diBSC900N20NS3GATMA1
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Prodotti discreti a semiconduttore |
| Transistor | |
| FET, MOSFET | |
| FET singoli, MOSFET | |
| Mfr | Tecnologie Infineon |
| Serie | OptiMOS® |
| Pacchetto | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro tagliato (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Stato del prodotto | Attivo |
| Tipo FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C | 15,2 A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm a 7,6 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
| Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11,6 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF a 100 V |
| Funzionalità FET | - |
| Dissipazione di potenza (massima) | 62,5 W (Tcc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-5 |
| Confezione/caso | 8-PowerTDFN |
| Numero del prodotto di base | BSC900 |
Caratteristiche diBSC900N20NS3GATMA1
• Ottimizzato per la conversione dc-dc
• Canale N, livello normale
• Eccellente carica di gate x prodotto R DS(on) (FOM)
• Bassa resistenza R DS (on)
• Temperatura di esercizio 150 °C
• Placcatura in piombo senza Pb;A norma RoHS
• Qualificato secondo JEDEC1) per l'applicazione target
• Privo di alogeni secondo IEC61249-2-21
Informazioni diBSC900N20NS3GATMA1
Per ulteriori informazioni su tecnologia, termini e condizioni di consegna e prezzi, contattare l'ufficio Infineon Technologies più vicino (www.infineon.com).
Classificazioni ambientali e di esportazione diBSC900N20NS3GATMA1
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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