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IPD80R900P7ATMA1 IC elettronico scheggia il MOSFET IC N CH 800V 6A TO252-3
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | IPD80R900P7ATMA1 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: | 350 PF @ 500 V | Caratteristica del FET: | - |
|---|---|---|---|
| Dissipazione di potere (massima): | 45W (TC) | Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo: | Supporto di superficie | Pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO252-3 |
| Pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63 | Numero del prodotto di base: | IPD80R900 |
| Evidenziare: | IPD80R900P7ATMA1,MOSFET IC N CH 800V 6A,MOSFET IC 800V 6A TO252-3 |
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Descrizione di prodotto
MOSFET SENZA FILI N-CH 100V 60A TO252-3 del MODULO di IPD60N10S4L-12 RF
Mosfet senza fili N-Ch 800v 6a To252-3 del modulo di Ipd80r900p7atma1 rf
Supporto PG-TO252-3 della superficie 45W (TC) di N-Manica 800 V 6A (TC)
Specifiche di IPD80R900P7ATMA1
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttori discreti |
| Transistor | |
| FETs, MOSFETs | |
| Singoli FETs, MOSFETs | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Pacchetto | Nastro & bobina (TR) |
| Tagli il nastro (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Stato del prodotto | Attivo |
| Tipo del FET | N-Manica |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 800 V |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C | 6A (TC) |
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @ | 3.5V @ 110µA |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 350 PF @ 500 V |
| Caratteristica del FET | - |
| Dissipazione di potere (massima) | 45W (TC) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto/caso | TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63 |
| Numero del prodotto di base | IPD80R900 |
Caratteristiche di IPD80R900P7ATMA1
•Migliore classFOMRDS (sopra) nei *Eoss; reducedQg, Ciss, andCoss
•Migliore in classDPAKRDS (sopra)
•Migliore classV (GS) in thof3VandsmallestV (GS) thvariationof±0.5V
•IntegratedZenerDiodeESDprotection
•Fullyoptimizedportfolio
Applicazioni di IPD80R900P7ATMA1
•Migliore in classperformance
•Enablinghigherpowerdensitydesigns, assemblycosts di BOMsavingsandlower
•Easytodriveandtoparallel
•BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures
•Lessproductionissuesandreducedfieldreturns
•Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns
Classificazioni dell'esportazione & ambientali di IPD80R900P7ATMA1
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato di RoHS | ROHS3 compiacente |
| Livello di sensibilità di umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato di PORTATA | RAGGIUNGA inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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