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IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLELO 84TWBGA
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | Is43dr16640b-25dbli-Tr |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page: | 15ns | Tempo di Access: | 400 ps |
|---|---|---|---|
| Tensione - rifornimento: | 1.7V ~ 1.9V | Temperatura di funzionamento: | -40°C ~ 85°C (TUM) |
| Montaggio del tipo: | Supporto di superficie | Pacchetto/caso: | 84-TFBGA |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore: | 84-TWBGA (8x12.5) | Numero del prodotto di base: | IS43DR16640 |
| Evidenziare: | IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM,IC DRAM 1 GBIT PARALLELO 84 TWBGA,DRAM IC 1 GBIT PARALLELO 84 TWBGA |
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Descrizione di prodotto
Is25lp040e-Jnle-Tr Modulo Wireless Rf Ic Flash 4mbit Spi/Quad 8soic
Is43dr16640b-25dbli-Tr Modulo Wireless Rf Ic Dram 1gbit Parallelo 84twbga
SDRAM - CI di memoria DDR2 1 Gbit parallela 400 MHz 400 ps 84-TWBGA (8x12,5)
Specifiche di Is43dr16640b-25dbli-Tr
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Serie | - |
| Pacchetto | Nastro e bobina (TR) |
| Stato del prodotto | Non per nuovi design |
| Digi-Key programmabile | Non verificato |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM-DDR2 |
| Dimensione della memoria | 1 GB |
| Organizzazione della memoria | 64 milioni x 16 |
| Interfaccia di memoria | Parallelo |
| Frequenza dell'orologio | 400MHz |
| Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page | 15ns |
| Tempo di accesso | 400 ps |
| Tensione - Alimentazione | 1,7 V ~ 1,9 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione/caso | 84-TFGBA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 84-TWBGA (8x12,5) |
| Numero del prodotto di base | IS43DR16640 |
Caratteristiche diIs43dr16640b-25dbli-Tr
Frequenza di clock fino a 400 MHz
8 banche interne per il funzionamento concorrente
Architettura di prelettura a 4 bit
Latenza CAS programmabile: 3, 4, 5, 6 e 7
Latenza additiva programmabile: 0, 1, 2, 3, 4,5e 6
Latenza di scrittura = Latenza di lettura-1
Sequenza Burst programmabile: Sequenziale oIntercalare
Durata burst programmabile: 4 e 8
Comando Precarica Automatica e Controllata
Modalità di spegnimento
Aggiornamento automatico e Aggiornamento automatico
Intervallo di aggiornamento: 7,8 μs (8192 cicli/64 ms)
ODT (Terminazione On-Die)
Opzione driver di output dati debole
Data Strobe differenziale bidirezionale(Il data-strobe single-ended è una caratteristica opzionale)
On-Chip DLL allinea le transizioni DQ e DQsconTransizioni CK
DQS# può essere disabilitato per i dati single-endedstroboscopico
Read Data Strobe supportato (solo x8)
Ingressi di clock differenziali CK e CK#
VDD e VDDQ = 1.8V ± 0.1V
PASR (aggiornamento automatico dell'array parziale)
ApplicazioniDiIs43dr16640b-25dbli-Tr
Interfaccia SSTL_18
Blocco tRAS supportato
Temperatura di esercizio:Commerciale (TA = da 0°C a 70°C ; TC = da 0°C a85°C)Industriale (TA = da -40°C a 85°C; TC = -40°Ca 95°C)Automobilistico, A1 (TA = da -40°C a 85°C; TC = -40°C a 95°C)Automobilistico, A2 (TA = da -40°C a 105°C; TC = -40°C a105°C)
Classificazioni ambientali e di esportazione diIs43dr16640b-25dbli-Tr
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato RoHS | Conforme a ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 3 (168 ore) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0032 |
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