 |
IS61WV5128EDBLL-10BLI IC elettronico scheggia il PARALLELO 36TFBGA di IC Sram 4MBIT
Dettagli:
| Luogo di origine: | originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | IS61WV5128EDBLL-10BLI |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Contenitore di cartone |
| Tempi di consegna: | giorni 1-3working |
| Termini di pagamento: | T/T, L/C |
| Capacità di alimentazione: | 100.000 |
|
Informazioni dettagliate |
|||
| Scrivi il tempo del ciclo - Word, Page: | 10ns | Tempo di Access: | 10 NS |
|---|---|---|---|
| Tensione - rifornimento: | 2.4V ~ 3.6V | Temperatura di funzionamento: | -40°C ~ 85°C (TUM) |
| Montaggio del tipo: | Supporto di superficie | Pacchetto/caso: | 36-TFBGA |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore: | 36-TFBGA (6x8) | Numero del prodotto di base: | IS61WV5128 |
| Evidenziare: | IS61WV5128EDBLL-10BLI,PARALLELO 36TFBGA di IC Sram 4MBIT,IS61WV5128EDBLL-10BLI IC Sram |
||
Descrizione di prodotto
Modulo senza fili CI Sram 4mbit 36tfbga parallelo di IS61WV5128EDBLL-10BLI rf
Modulo senza fili CI Sram 4mbit 36tfbga parallelo di IS61WV5128EDBLL-10BLI rf
SRAM - Memoria asincrona IC 4Mbit 10 paralleli NS 36-TFBGA (6x8)
Specifiche di IS61WV5128EDBLL-10BLI
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Circuiti integrati (CI) |
| Memoria | |
| Memoria | |
| Mfr | ISSI, soluzione integrata inc del silicio |
| Serie | - |
| Pacchetto | Vassoio |
| Stato del prodotto | Attivo |
| Digi-chiave programmabile | Non verificato |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asincrono |
| Capacità di memoria | 4Mbit |
| Organizzazione di memoria | 512K x 8 |
| Interfaccia di memoria | Parallelo |
| Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 10ns |
| Tempo di Access | 10 NS |
| Tensione - rifornimento | 2.4V ~ 3.6V |
| Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C (TUM) |
| Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
| Pacchetto/caso | 36-TFBGA |
| Pacchetto del dispositivo del fornitore | 36-TFBGA (6x8) |
| Numero del prodotto di base | IS61WV5128 |
Caratteristiche di IS61WV5128EDBLL-10BLI
• Tempo di accesso ad alta velocità: 8, 10 NS
• Active Power basso: 85 Mw (tipici)
• Potere standby basso: un appoggio da 7 Mw CMOS (tipico)
• Singola alimentazione elettrica
— Vdd 2.4V a 3.6V (10 NS)
— ± 10% (8 NS) di Vdd 3.3V
• Completamente funzionamento statico: nessun orologio o rinfresca richiesto
• Tre uscite dello stato
• Supporto industriale ed automobilistico di temperatura
• Disponibile senza piombo
• Rilevazione di errori e correttivo
Applicazioni di IS61WV5128EDBLL-10BLI
Il ISSI IS61/64WV5128EDBLL è un ad alta velocità, le ram statiche 4,194,304-bit organizzate come 524.288 parole da 8 bit. È fabbricato facendo uso della tecnologia alta--performanceCMOS di ISSI. Questo processo altamente affidabile accoppiato con le tecniche di progettazione innovarici del circuito, rende ad alto rendimento
e dispositivi del basso consumo energetico.
Quando il CE è SU (deselezionato), il dispositivo presuppone una modalità standby a cui il canbe della dissipazione di potere si è ridotto giù con i livelli di ingresso di CMOS. L'espansione di memoria facile è fornita usando il ChipEnable e l'uscita permette agli input, al CE e a OE. Il MINIMO attivo scrive permette a (NOI) controlla sia la scrittura che la lettura della memoria. Il IS61/64WV5128EDBLL è imballato nel JEDEC 44-pinTSOP-II standard, un SOJ di 36 perni e 36 il perno mini BGA (6mm x 8mm).
Classificazioni dell'esportazione & ambientali di IS61WV5128EDBLL-10BLI
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato di RoHS | ROHS3 compiacente |
| Livello di sensibilità di umidità (MSL) | 3 (168 ore) |
| Stato di PORTATA | RAGGIUNGA inalterato |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto