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TK100L60W Canale N 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) Attraverso foro TO-3P ((L))
Dettagli:
| Luogo di origine: | Originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | TK100L60W |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 1-3 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 100,000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Tipo di FET: | Canale N | Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) |
|---|---|---|---|
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 600 V | Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 5mA | Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 360 nC @ 10 V |
Descrizione di prodotto
TK100L60W Canale N 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) Attraverso foro TO-3P ((L))
Specificità di TK100L60W
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Transistori | |
| FET, MOSFET | |
| FET singoli, MOSFET | |
| Mfr | Toshiba Semiconductor e storage |
| Serie | DTMOSIV |
| Pacco | Tubo |
| Tipo di FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss) | 600 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 30 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (Max) | 797W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Attraverso il buco |
| Confezione del dispositivo del fornitore | TO-3P(L) |
| Confezione / Cassa | TO-3PL |
| Numero del prodotto di base | TK100L60 |
Caratteristiche del TK100L60W
(1) Resistenza di scarico basso: RDS ((ON) = 0,015 Ω (tipico) utilizzato per Super Junction Structure: DTMOS
(2) Facile da controllare
(3) Modalità di potenziamento: Vth = da 2,7 a 3,7 V (VDS = 10 V, ID = 5 mA)
Applicazioni di TK100L60W
Regulatori di commutazione della tensione
Classificazioni ambientali e di esportazioneTK100L60W
| Attributo | Descrizione |
| Status RoHS | Compatibilità ROHS3 |
| livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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