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CSD17576Q5B Canale N 30 V 100A (Ta) 3.1W (Ta) 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dettagli:
| Luogo di origine: | Originale |
| Marca: | original |
| Certificazione: | original |
| Numero di modello: | CSD17576Q5B |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | negotiation |
| Imballaggi particolari: | Cartone |
| Tempi di consegna: | 1-3 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 100,000 |
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Informazioni dettagliate |
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| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): | 30 V | Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
|---|---|---|---|
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 250µA | Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 68 nC @ 10 V |
| Vgs (Max): | ± 20V | Dissipazione di potere (massima): | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| Evidenziare: | CSD17576Q5B Chip IC a canale N,100A CSD17576Q5B N-Channel IC Chips,3.1W CSD17576Q5B N-Channel IC Chips |
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Descrizione di prodotto
CSD17576Q5B Canale N 30 V 100A (Ta) 3,1 W (Ta), 125 W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
Specificità di CSD17576Q5B
| TIPO | Descrizione |
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti |
| Transistori | |
| FET, MOSFET | |
| FET singoli, MOSFET | |
| Mfr | Texas Instruments |
| Serie | NexFETTM |
| Pacco | Nastro e bobina (TR) |
| Nastro di taglio (CT) | |
| Tipo di FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss) | 30 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250μA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4430 pF @ 15 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (Max) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 8-VSONP (5x6) |
| Confezione / Cassa | 8-PowerTDFN |
| Numero del prodotto di base | CSD17576Q5 |
Caratteristiche delCSD17576Q5B
• Basso Qg e Qgd
• RDS basso (acceso)
• Bassa resistenza termica
• Avalanche classificata
• Pb di rivestimento terminale gratuito
• Compatibile con la RoHS
• Libero da alogene
• SON 5 mm × 6 mm confezione in plastica
IntroduzioneCSD17576Q5B
• Convertitore sincrono a buco per applicazioni in reti, telecomunicazioni e sistemi informatici
• Ottimizzato per applicazioni FET sincrone
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